固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
李永昌
2025-10-14 15:45:56
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显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。(图片来源:德州仪器)
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。(图片来源:英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。工业过程控制、
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,以支持高频功率控制。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。如果负载是感性的,基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率,
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,


此外,